自2022年下半年以來，因?yàn)樾」β蔍GBT芯片的緊缺，無法滿足客戶對(duì)小功率（75A以下）IGBT模塊的需求，經(jīng)公司決定，自主研發(fā)小功率IGBT芯片。

在公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)的共同努力下，我們先后完成了15A,35A,50A自研IGBT芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)以及流片并做了IGBT模塊的測(cè)試以及小批量生產(chǎn)使用。直至本周，我們自研的最后一款小功率IGBT芯片--25A芯片封測(cè)完成并進(jìn)行各性能指標(biāo)測(cè)試。

測(cè)試實(shí)驗(yàn)部分圖示如下：

1，芯片的驗(yàn)證（靜動(dòng)態(tài)測(cè)試）：

    125℃下對(duì)10PCS芯片進(jìn)行漏電和門檻電壓測(cè)試

           短路測(cè)試

                                     25℃短路測(cè)試                                                                        150℃短路測(cè)試

2，LEGM25BE120E2HZ模塊應(yīng)用測(cè)試：

     由我司自研芯片封測(cè)的25A模塊，使用于柏川5.5KW變頻器上進(jìn)行短路沖擊等破壞性試驗(yàn)

                                                   測(cè)試平臺(tái)和設(shè)備

                                                       0.1S啟停波形                                                                                                 運(yùn)行中短路波形                                                                                

根據(jù)測(cè)試結(jié)果顯示，該款產(chǎn)品總體表現(xiàn)優(yōu)秀，尤其是在過流能力以及保護(hù)關(guān)斷性能上更為突出。多個(gè)批次多次測(cè)試，性能參數(shù)一致性很強(qiáng)，產(chǎn)品性能穩(wěn)定，符合用戶需求，達(dá)到并超出用戶使用標(biāo)準(zhǔn)，可投入量產(chǎn)，規(guī)?；茝V。

至此，我司的75A以下小功率自研IGBT芯片基本可以正常量產(chǎn)并投入封裝批量出貨。為我們IGBT在市場(chǎng)供貨方面提供了更有力的保障。